중국의 메모리 반도체 업체인 CXMT(창신커지, 長鑫科技)가 차세대 D램 기술을 앞세워 서버용 메모리 시장 공략에 나선다. 소비자용 전자기기 중심이던 사업 영역을 고성능 서버 메모리로 확대해 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론이 주도하는 고부가가치 시장에 도전한다는 구상이다. 

12일 중국 커촹반일보에 따르면 차오칸위(曹堪宇) CXMT 사장은 지난 10일 열린 업계 콘퍼런스에서 4F²(4에프제곱) D램 아키텍처를 적용한 차세대 DDR5 RDIMM 서버용 메모리 제품을 올해 연말까지 출시할 계획이라고 밝혔다. RDIMM은 중앙처리장치에서 전달되는 신호를 정확히 한 클록 주기만큼 유지하는 하드웨어 버퍼다. 4F²는 메모리 셀의 면적을 줄여 집적도를 높이는 차세대 D램 설계 기술이다. 현재 업계 주류인 6F² 구조보다 작은 면적에 메모리 셀을 배치할 수 있어 칩당 저장 용량을 높이는 데 유리하다. 차오 사장은 CXMT가 이 기술을 활용해 서버용 메모리 시장 진입을 가로막아온 기술적 장벽을 극복하겠다고 설명했다. 

핵심 기술은 수직 서라운드 게이트(VSG) 트랜지스터다. 중국 업계 전문가들은 4F² 구조를 적용하면 기존 설계보다 셀 집적도를 30~50% 높일 수 있다고 보고 있다. CXMT는 해당 아키텍처와 관련해 300건 이상의 특허를 공개했다고 밝혔다. 

이번 제품 개발은 CXMT가 서버용 메모리 시장에서 기술 경쟁력을 입증할 수 있을지를 가늠할 시험대가 될 전망이다. 톈펑 패스트싱크연구원 원장은 중국 매체 글로벌타임스에 "세계 3대 메모리 업체도 4F² 또는 유사한 3차원(3D) D램 기술 개발을 추진하고 있지만 아직 대규모 상용화에 이르지 못했다"고 설명했다. CXMT가 먼저 제품 상용화에 성공하면 차세대 메모리 시장에서 선점 효과를 확보하고 중국의 고급 반도체 공급망 경쟁력도 높일 수 있다는 분석이다. 

한편 삼성전자는 4F² 아키텍처를 2028년에 상용화한다는 계획이다. 삼성전자는 메모리 셀과 주변 회로를 별도 웨이퍼에서 각각 제조한 뒤 하이브리드 본딩으로 결합하는 방식을 쓸 것으로 알려졌다.